Micron построит в Сингапуре завод по производству микросхем памяти стоимостью $24 млрд

Американский производитель микросхем памяти Micron Technology (MU) объявил о планах инвестировать около $24 млрд в строительство нового завода по выпуску микросхем в Сингапуре в течение следующего десятилетия, пишет Reuters.

Проект направлен на наращивание производственных мощностей на фоне глобального дефицита памяти и резкого роста спроса со стороны инфраструктуры искусственного интеллекта и дата-центров.

Компания сообщила, что заложила фундамент современного завода по производству кремниевых пластин на существующем комплексе NAND в Сингапуре. Начало выпуска пластин запланировано на вторую половину 2028 года. Площадь комплекса составит более 700 тыс. квадратных футов, или около 65 тыс. кв. м. Новый объект станет первым в Сингапуре двухэтажным заводом по производству пластин.

На той же площадке компания строит завод по современной упаковке памяти с высокой пропускной способностью HBM стоимостью $7 млрд. Поставки продукции этого предприятия запланированы на 2027 год. Micron ожидает, что совместное присутствие производств NAND, DRAM и HBM создаст операционную синергию.

Инвестиционный проект предусматривает создание около 1,6 тыс. рабочих мест. Власти Сингапура отметили, что проект укрепит национальную полупроводниковую экосистему и позиции страны в глобальных цепочках поставок.

Решение Micron о строительстве нового комплекса отражает фундаментальную трансформацию рынка памяти, полагает старший аналитик Freedom Finance Global Егор Толмачев. В отличие от исторических циклов избытка и дефицита, текущий дисбаланс спроса и предложения имеет структурный характер на фоне беспрецедентного роста ИИ-инфраструктуры. Хорошей иллюстрацией служит новая вычислительная платформа Vera Rubin от Nvidia (NVDA), которая требует в 10 раз больше памяти для систем хранения, чем предыдущее поколение Blackwell, и это не говоря про рост требуемых объёмов DRAM-памяти. Крупнейшие мировые производители памяти в рамках своих инвестиционных программ отдают приоритет выпуску более высокомаржинальной DRAM-памяти, что создает на рынке NAND еще больший дефицит. Ещё раз акцентируем внимание на том, что производство запланировано лишь на 2П 2028 года и производство будет масштабироваться постепенно в течение 10 лет. В 2028 году рынок памяти уже должен будет прийти к балансу, а конъюнктура может сильно измениться.

По прогнозам аналитического агентства IDC, рост предложения NAND-памяти в 2026 году составит лишь 16–17% — ниже исторических норм и значительно ниже прогнозируемого роста спроса в 20–22%. При этом биг-теки уже зафиксировали в долгосрочных контрактах свои объемы поставок на большинство видов памяти на ближайшие два года, что оставляет многие другие компании, особенно в потребительском и корпоративном сегментах рынка, в невыгодном положении.

Решение Micron углубить присутствие в Сингапуре, где компания уже производит большую часть своих передовых NAND-решений, обусловлено зрелостью экосистемы в данной стране, наличием квалифицированных кадров и щедрыми правительственными стимулами. Правительство Сингапура выделило ~$13,6 млрд на период 2021–2025 годов для поддержки полупроводниковой индустрии, включая R&D-гранты, налоговые льготы и инфраструктурные инвестиции. С учетом того, что крупнейшие покупатели памяти — это американские компании и США стремится локализовать производство полупроводников у себя, в долгосрочной перспективе это может сыграть злую шутку с Micron Technology. Micron уже получила $6,2 млрд в рамках CHIPS Act на строительство fab в Нью-Йорке и Айдахо и в июне 2025 года объявила об увеличении общих инвестиций в США до $200 млрд. Однако производство NAND остается в подавляющем большинстве в Азии.